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通过各种优化手段，荣膺人物P型的热电优值ZT已经从0.5提升至2.5，但是关于高性能n型SnSe（ZT1.0）的报导较少，其电-声输运机制有待进一步的探究。Pb/I双掺杂调整了SnSe的能带结构，时代提升电输运性能，时代而WSe2/SnSep-n结调节载流子浓度和作为声子散射中心大大降低了热导率至~0.35W/mK，最终n型SnSe多晶的热电优值在790K达到1.35。

周刊陈志刚教授师从成会明院士和逯高清院士。通过Pb/I双掺杂同时优化了SnSe的电-声输运性能，年度其热电优值ZT在790K达到0.8。这些论文被SCI引用1700余次，马悦H-index达到25。

尤其是n型CoSb3热电材料发展较为缓慢，荣膺人物其性能普遍低于p型热电材料，实现高性能n型CoSb3基热电薄膜材料仍面临巨大挑战。文献链接：时代https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2020.100306进展二：时代高性能n型CoSb3基热电薄膜材料的制备近年来，随着可穿戴电子设备、微型芯片和微型传感器等的飞速发展，迫切需要高功率密度和长使用寿命的微型电源。

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